特許
J-GLOBAL ID：200903015498430794
結晶性半導体膜の形成方法および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-128329
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299344
出願日： 1992年04月21日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 相転移の際の異常な結晶成長による結晶性半導体膜表面の凹凸化を抑え、平滑性の高い結晶性半導体膜を得るための固相成長法を提供することである。【構成】 本発明では、窒素ガスに対して、微量の酸素ガスを定量的に添加した雰囲気中で非晶質Si膜の熱処理を行い固相成長させ、表面が平滑でグレインサイズが大きいポリSi膜を得る。
請求項（抜粋）：
微量の酸素を定量的に添加した雰囲気中で非晶質半導体膜の固相成長を行い、結晶性半導体膜を得ることを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/324
, H01L 29/784
