特許
J-GLOBAL ID:200903015501401520
架橋ハフノセンの製造
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小田島 平吉 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-506219
公開番号(公開出願番号):特表2001-512736
出願日: 1998年08月11日
公開日(公表日): 2001年08月28日
要約:
【要約】1種もしくはそれより多い少なくとも40°Cの温度で生成した及び/又は加熱されたハロゲン化ハフニウム-脂肪族ポリエーテル付加物及び金属化ビス(シクロペンタジエニル-部分-含有)リガンドを、ラセミ架橋ハフノセンが製造されるような1種もしくはそれより多い温度で十分な時間、反応させることにより、ラセミ架橋ハフノセンを高められた収率で製造する。反応はテトラヒドロフラン及び/又は反応混合物中におけるタール状の残留物の生成を引き起こす他のいずれかのエーテル溶媒もしくは希釈剤の実質的不在下で行われる。
請求項(抜粋):
1種もしくはそれより多い少なくとも40°Cの温度で生成した及び/又はあらかじめ加熱されたハロゲン化ハフニウム-脂肪族ポリエーテル付加物及び金属化ビス(シクロペンタジエニル-部分-含有)リガンドを反応させてラセミ架橋ハフノセンを製造することを含み、テトラヒドロフラン及び/又は反応混合物中でタール状の残留物の生成を引き起こす他のいずれかのエーテル溶媒もしくは希釈剤を実質的に含まない反応媒体中で行われる高められた収率でラセミ架橋ハフノセンを製造するための方法。
IPC (4件):
C07F 17/00
, C07F 7/00
, C08F 4/64
, C08F 10/00
FI (4件):
C07F 17/00
, C07F 7/00 Z
, C08F 4/64
, C08F 10/00
Fターム (23件):
4H049VN07
, 4H049VP01
, 4H049VQ12
, 4H049VR22
, 4H049VR32
, 4H049VS12
, 4H049VU14
, 4H049VV02
, 4H049VW02
, 4H050AA02
, 4H050AB40
, 4H050BB11
, 4H050BE62
, 4J028AA01A
, 4J028AB00A
, 4J028AC01A
, 4J028CB30A
, 4J028EB03
, 4J028EC01
, 4J028GA14
, 4J100AA00P
, 4J100CA01
, 4J100FA10
前のページに戻る