特許

J-GLOBAL ID：200903015504160109

モスフェット及びその製造方法

発明者： 崔秉鉞 ,  黄誌鋒
出願人/特許権者： 台灣國立交通大學
代理人 (1件)： 志村 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-111761
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318189
出願日： 2002年04月15日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】 ソース、ドレインのショットキーバリアのキャリア注入抵抗を低下させ、ドレインとの接合面の漏電問題を大幅に改善し、かつソースとドレインの寄生抵抗を低減することができ、製造工程における温度を低下させる効果を具えるモスフェットと、その製造方法を提供する。【解決手段】 ベースと、該ベース上に位置する絶縁層と、該絶縁層上に位置するケイ素層とによってなる該SOI基板を基材とし、該SOI基板上に形成し、金属酸化膜半導体を形成し、該金属酸化膜半導体上に金属層を沈降させ、かつ該金属層の金属をケイ化物に作用させる工程によって該ケイ素層と結合して金属ケイ化物層形成し、さらに該金属ケイ化物層にイオンを打ち込み、ソースショットキーのキャリア注入抵抗を低減させるソース高濃度領域とドレイン高濃度領域を形成する。

請求項（抜粋）：

少なくともシリコン・オン絶縁基板と、金属酸化膜半導体と、金属ケイ化物層を具えるモスフェットにおいて、該シリコン・オン絶縁基板は、モスフェットの基材であって、SOI基板は、ベースと、該ベース上に位置する絶縁層と、該絶縁層上に位置するケイ素層とによってなり、該金属酸化膜半導体は、該シリコン・オン絶縁基板上に形成し、該金属ケイ化物層は、該金属酸化膜半導体上に金属層を沈降させ、かつ該金属層の金属をケイ化物に作用させる工程によって該ケイ素層と結合して形成し、さらに該金属ケイ化物層にイオンを打ち込み、ソースショットキーのキャリア注入抵抗を低減させるソース高濃度領域とドレイン高濃度領域を形成することを特徴とするモスフェット。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 29/78 616 J ,  H01L 29/50 M

Fターム (25件)：

4M104AA09 ,  4M104CC05 ,  4M104DD82 ,  4M104DD84 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA17 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110EE31 ,  5F110EE42 ,  5F110GG02 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ16 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HK42 ,  5F110HM20 ,  5F110NN62

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-348532
  
• 特開昭61-056461