特許

J-GLOBAL ID：200903015504587161

半導体装置

発明者： 谷口 智昭
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-325981
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093780
出願日： 2003年09月18日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】半導体チップとインターポーザの間とを半田ボールを介して半田接合した後に、該隙間にアンダーフィル樹脂を充填した半導体装置において、高価なアンダーフィル樹脂を使用することなく、半田接続部にかかる熱や衝撃による剪断応力を低減し、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】隣り合う半田ボール2の間に仕切り壁5を形成し、該仕切り壁が、半導体チップ1及びインターポーザ4の半田接合面の二方向から形成され、前記インターポーザの仕切り壁が、インターポーザの基板面と水平方向で、且つ基板の中央部方向に一個分の仕切り壁の幅以上ずれた位置に配置されていることにより半田ボールに掛かる剪断応力を緩和する半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体チップとインターポーザの間とを半田ボールを介して半田接合した半導体装置において、隣り合う半田ボールの間に仕切り壁を形成し、半田ボールに掛かる剪断応力を緩和することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/60 ,  H01L23/12

FI (3件)：

H01L21/60 311Q ,  H01L23/12 501B ,  H01L23/12 F

Fターム (2件)：

5F044KK02 ,  5F044LL01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体素子実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-041681   出願人：株式会社沖ビジネス, 沖電気工業株式会社