特許
J-GLOBAL ID：200903015505182785

銅化合物及びそれを用いた銅薄膜の製造方法

発明者：
王谷 稔

王谷 稔 について

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久田 純

久田 純 について

, 
馬渡 豊樹

馬渡 豊樹 について


出願人/特許権者：
メック株式会社

メック株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-181403
公開番号（公開出願番号）：特開2005-035984
出願日： 2004年06月18日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：
【課題】電子デバイス等の製造工程で必要な銅薄膜を安全、安価、かつ容易に形成できる銅化合物とそれを用いた銅薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】分解温度が100〜300°Cの範囲であって、下記式(1):【化1】(但し、nは1〜3、mは1〜3、pは0〜1、n個のR1はそれぞれ下記式(2),CH2X2,CH2X2(CHX2)q、NH2,Hを表わし、同じであっても異なっていても良く、又はnは2であって、2個の[R1COO]は一緒になって下記式(3)を表わし、R2,R3,R4は、それぞれCH2X2,CH2X2(CHX2)q、NH2,H、R5は-(CHX2)r-、X2は、H,OH,NH2、rは0〜4、qは1〜4、X1はNH4+、H2O又は溶媒分子)で表される単位が1又は複数連結した銅化合物である。【化2】【化3】【選択図】2
請求項（抜粋）：
分解温度が100〜300°Cの範囲であって、下記式(1):
IPC (4件)：
C07C53/06 ,  C23C16/14 ,  C23C16/18 ,  C23C18/08
FI (4件)：
C07C53/06 ,  C23C16/14 ,  C23C16/18 ,  C23C18/08
Fターム (47件)：
4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AB82 ,  4H006BS10 ,  4H048AA01 ,  4H048AA02 ,  4H048BB12 ,  4H048BB14 ,  4H048BB17 ,  4H048BB31 ,  4H048BE14 ,  4H048VA20 ,  4H048VA30 ,  4H048VA56 ,  4H048VB10 ,  4H048VB40 ,  4K022AA02 ,  4K022AA03 ,  4K022AA04 ,  4K022AA12 ,  4K022AA13 ,  4K022AA32 ,  4K022AA35 ,  4K022AA36 ,  4K022AA37 ,  4K022AA42 ,  4K022AA43 ,  4K022BA08 ,  4K022BA31 ,  4K022DA06 ,  4K022DB01 ,  4K022DB18 ,  4K022DB24 ,  4K022DB26 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030CA07 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • Cu超微粒子独立分散液
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-226464   出願人：真空冶金株式会社, 日本真空技術株式会社
引用文献：
審査官引用 (3件)

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