特許
J-GLOBAL ID：200903015511931153
低比誘電率膜のための堆積チャンバ及び方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-122227
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321613
出願日： 1998年05月01日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 基板支持体(14)を収容するチャンバ(18)を画するハウジング(4)を含む改良された堆積チャンバ(2)を提供する。【解決手段】 酸素とSiF4の混合物は第一のノズルセット(34)を通じて送られ、シランは第二のノズルセット(34a)を通じてチャンバ内の基板支持体の周縁部(40)の周りに送られる。シラン(又はシランとSiF4の混合物)及び酸素は、基板上方ほぼ中央領域で、オリフィス(64,76)からチャンバ内へと別個に注入される。各々のガスについての最適の流速の使用と関連したガスの均一な分散は、膜全体にわたる均一な低い(3.4未満の)比誘電率をもたらす。
請求項（抜粋）：
チャンバを画するハウジングと、前記チャンバ内の、基板支持面を有する基板支持体と、前記基板支持面の周りに、チャンバ内に開口した第一の出口を有する第一のガス分配器と、前記基板支持面から離間して、前記基板支持面の中央領域のほぼ上方に置かれた第二の出口を有する第二のガス分配器と、前記基板支持面の上方ほぼ中央位置で前記真空チャンバ内に開口した第三の出口であって前記第二の出口を囲む第三の出口を有する第三のガス分配器と、を備える基板処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31
, C23C 14/34
, C23C 16/44
, H01L 21/205
H01L 21/31 C
, C23C 14/34 M
, C23C 16/44 D
, H01L 21/205
