半導体装置、この半導体装置を用いた液晶表示装置及びこれらの駆動方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：下田容一郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-291528
公開番号（公開出願番号）：特開平8-146458
出願日： 1994年11月25日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】光キャリアによるドレイン電位のシフトが少なく安定な動作が可能な半導体装置とこれを組込んだ液晶表示装置を提供する。【構成】投射光の一部がP型Si 基板8内に侵入すると、その光はP型Si 基板8内で光キャリア(電子(-)と正孔(+)のペア)を発生する。このうち正孔(+)はグランド電極5方向に進み、一方電子(-)は正にバイアスされているソース9、ドレイン10及びN型半導体領域11に向かって進む。このN型半導体領域11はドレインよりも大面積であるので、大半の電子はドレインに入らずにN型半導体領域11に吸収され、画素電極18の電位のシフトは最小限に抑えられる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体領域内に第2導電型のソース及びドレインが設けられ、これらソース及びドレイン上またはその近傍上に誘電体層を介してゲートが設けられたMIS型トランジスタを有する半導体装置において、前記第1導電型の半導体領域内にはバイアスが印加される第2導電型の半導体領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 , G02F 1/133 550 , G09G 3/36

引用特許：

審査官引用 (2件)

ディスプレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-136967 出願人：キヤノン株式会社
特開平3-288474

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