特許

J-GLOBAL ID：200903015518670010

TiN膜の形成方法及び電子部品の製造方法

発明者： 小野沢 和久 ,  中川 敏
出願人/特許権者： 旭電化工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-226477
公開番号（公開出願番号）：特開2001-049434
出願日： 1999年08月10日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、高純度で不純物の少ないテトラキス(ジアルキルアミノ)チタン(TDAAT)を供給することにより信頼性の高いバリア膜等を得ることのできるTiN膜の形成方法及びこれを用いた電子部品の製造方法を提供したことにある。【解決手段】 本発明のTiN膜の形成方法は、TDAAT供給装置からTDAATを気化室に充填する工程;キャリアガスを気化室に導入し、気化室からキャリアガス・TDAAT混合ガスを反応器に導入する工程;(窒素化合物ガスを反応器に導入する工程;)反応器内のTiN膜被形成基体を所望温度に加熱してTiN膜被形成基体上にTiN膜を形成する工程;反応器から排気ガスを排出する工程を有するTiN膜の形成方法において、TDAAT供給装置が、TDAATの液量監視手段として少なくとも1つの光学的液面センサを備えてなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

テトラキス(ジアルキルアミノ)チタン供給装置からテトラキス(ジアルキルアミノ)チタンを気化室に充填する工程;キャリアガスを気化室に導入し、気化室からキャリアガス・テトラキス(ジアルキルアミノ)チタン混合ガスを反応器に導入する工程;反応器内のTiN膜被形成基体を所望温度に加熱しTiN膜被形成基体上にTiN膜を形成する工程;反応器から排気ガスを排出する工程を有するTiN膜の形成方法において、テトラキス(ジアルキルアミノ)チタン供給装置が、テトラキス(ジアルキルアミノ)チタンの液量監視手段として少なくとも1つの光学的液面センサを備えてなることを特徴とするTiN膜の形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/34 ,  C23C 16/448 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (4件)：

C23C 16/34 ,  C23C 16/448 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R

Fターム (10件)：

4K030AA11 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030DA06 ,  4K030EA01 ,  4K030KA24 ,  4K030KA39 ,  4M104BB30 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45