特許

J-GLOBAL ID：200903015520732759

プラズマ処理装置

発明者： 林 大輔 ,  永関 一也
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-121214
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327767
出願日： 2003年04月25日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】高いガスコンダクタンス能力を備え、製造コストの上昇を招くことなく、広範なプロセスに対応することができるとともに、プラズマのリークを防止する機能が高く、安定したプラズマにより良好なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】載置台2の周囲には、環状に形成された排気リング16が設けられている。この排気リング16は、下方に向かって略垂直に形成された側壁部17と、この側壁部17の下端から内側に向かって垂直方向に延在する底部18とを具備している。側壁部17は、同心状に、所定間隔を設けて配置された内側円筒状部材19と、外側円筒状部材20とから構成され、これらの間の間隙21を通る排気路が形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

被処理基板を収容する真空チャンバと、 前記真空チャンバ内に配置され、前記被処理基板が載置される載置台と、 前記真空チャンバ内に、前記被処理基板に所定の処理を施すためのプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、 前記載置台の周囲を囲むように配置され、排気路が形成された排気リングと、前記排気路を介して前記真空チャンバ内を真空排気する真空排気機構とを具備したプラズマ処理装置であって、 前記排気リングは、前記載置台の載置面に対して略垂直に形成された側壁部と、この側壁部の下端から内側に向かって延在する底部とを有し、少なくとも前記側壁部に、前記排気路が形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L21/3065 ,  B01J3/00 ,  B01J3/02 ,  B01J19/08 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

FI (6件)：

H01L21/302 101B ,  B01J3/00 J ,  B01J3/02 M ,  B01J19/08 H ,  C23C16/44 E ,  H01L21/205

Fターム (35件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA51 ,  4G075BC01 ,  4G075BC06 ,  4G075CA25 ,  4G075CA65 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EB42 ,  4G075EE31 ,  4G075FB02 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030EA11 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030KA09 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA08 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB28 ,  5F004BD04 ,  5F045AA08 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EG01 ,  5F045EH13 ,  5F045EH16 ,  5F045EM05