特許

J-GLOBAL ID：200903015521357951

シリカ質多孔質膜の製造方法

発明者： 積 洋二 ,  大嶋 仁英
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-334300
公開番号（公開出願番号）：特開平10-165791
出願日： 1996年12月13日
公開日（公表日）： 1998年06月23日
要約：

【要約】【課題】触媒や酵素等の各種機能性材料の担体や、液体用濾過分離膜、各種混合気体等の混合流体から特定成分を分離する気体用分離膜、あるいは電解隔壁、吸収吸着剤等の用途に好適に用い得る径が1nm以下の細孔を有し、大きな細孔容積と種々の細孔径分布を有するシリカ質多孔質膜の製造方法を得る。【解決手段】ポリシラザンを有機溶媒に溶解し、それに前記有機溶媒に可溶な分子量が10000以下の低分子量の有機化合物であるポリアクリル酸、ポリエーテル、メチルセルロース、単糖類、多糖類の一種以上を、最終的に得られるSiO2 量に対して1〜50重量%の割合で添加混合して調製した混合液を無機多孔質支持体に塗布し、乾燥した後、酸化性雰囲気中で500〜700°Cの温度範囲で焼成してシリカ質多孔質膜を得る。

請求項（抜粋）：

有機溶媒に溶解したポリシラザンに、前記有機溶媒に可溶な分子量が10000以下の有機化合物であるポリアクリル酸、ポリエーテル、メチルセルロース、単糖類、多糖類の一種以上を、前記ポリシラザンの熱処理により得られるシリカ(SiO2 )量に対して1〜50重量%添加して撹袢混合した後、該混合液を無機多孔質支持体に塗布し、乾燥後、酸化性雰囲気中、500〜700°Cの温度で焼成することを特徴とするシリカ質多孔質膜の製造方法。

IPC (3件)：

B01D 71/70 ,  B01D 71/02 ,  B01J 32/00

FI (3件)：

B01D 71/70 ,  B01D 71/02 ,  B01J 32/00