特許

J-GLOBAL ID：200903015529469210

プラズマCVD装置及びプラズマCVDによる堆積膜形成方法

発明者： 山上 敦士 ,  高木 智
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-081506
公開番号（公開出願番号）：特開平9-268370
出願日： 1996年04月03日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】 大面積の基体上に、複数の円筒状基体の表面上に該基体の軸方向及び周方向の何れの方向にも、膜厚が均一且つ均質の高品質な堆積膜を高速度で形成し、効率よく半導体デバイスを形成し得るプラズマCVD装置及び堆積膜形成方法の提供。【解決手段】 減圧可能な反応容器内にプラズマCVD原料ガス供給手段、基体保持手段、導電性カソード電極及び高周波電源を有し、高周波電力をカソード電極に供給し、保持される基体とカソード電極間にプラズマを発生させ基体に堆積膜を形成するプラズマCVD装置の、高周波電源発振周波数が30〜600MHzで、カソード電極の形状が棒状で且つ該カソード電極の軸方向に亘って肉厚が実質的に不均一な誘電体カバーが被覆されるプラズマCVD装置。

請求項（抜粋）：

減圧可能な反応容器、該反応容器内にプラズマCVDの原料ガスを供給する原料ガス供給手段、該反応容器内に配された基体保持手段と導電性のカソード電極、及び高周波電源を有し、該高周波電源で発生させた高周波電力を前記カソード電極に供給し、前記基体保持手段により保持される基体とカソード電極との間にプラズマを発生させて基体に堆積膜を形成するプラズマCVD装置において、前記高周波電源の発振周波数が30〜600MHzの範囲にあり、前記カソード電極の形状が棒状であり、且つ該カソード電極にカソード電極の軸方向に亘って肉厚が実質的に不均一である誘電体カバーが被覆されてなることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (6件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  G03G 5/08 105 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 31/04

FI (9件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 B ,  C23C 16/44 C ,  C23C 16/44 F ,  C23C 16/44 G ,  G03G 5/08 105 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 31/04 V