特許

J-GLOBAL ID：200903015530467352

半導体装置の製造方法

発明者： 山崎 舜平 ,  坂間 光範 ,  深田 武
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-262519
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082706
出願日： 1995年09月16日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【目的】 有機シランを用いた成膜において、成膜された炭素の含有量を減少させ、アルカリ等の不純物に対するブロック効果を大きくし半導体の特性の向上と信頼性を向上させる。【構成】 半導体装置の製造において、各種絶縁膜を有機シランを用いて成膜する際に、その成膜中に活性水素と酸化窒素を添加することで成膜中の炭素を、CHX やCOHのごときガスにして、成膜中の炭素を減少させアルカリ等の不純物に対するブロック効果を大きくする。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD法または常圧CVD法によって有機シラン系のソースと、水素あるいは活性水素、を少なくとも含んだ原料を用いて加熱した基板に酸化膜を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記酸化膜の成膜中に酸化窒素(NX OY )を添加して成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• シリコン酸化膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-331030   出願人：東亞合成化学工業株式会社