特許

J-GLOBAL ID：200903015540626084

半導体集積回路

発明者： 武藤 聖人
出願人/特許権者： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-149076
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003295
出願日： 1991年06月21日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】MOSFETを有する半導体集積回路の基板電位を安定させ、MOSFETの動作を安定させる。【構成】下面にP型不純物を導入して導電率を高めたP+ 型拡散層3を設けたP型シリコン基板1の上面にNチャネル及びPチャネルMOSFETを形成し、P+ 型拡散層3によりキャリアの移動による電圧変動を抑制して基板電位を安定させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上面に設けたMOSFETを有する半導体集積回路において、前記半導体基板の下面に前記半導体基板と同じ導電型の不純物を導入して導電率を高めた不純物拡散層を有することを特徴とする半導体集積回路。