特許

J-GLOBAL ID：200903015545304077

半導体素子及びその製造方法

発明者： 井土 眞澄 ,  寺内 正治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-278689
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102594
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、多結晶シリコン薄膜トランジスタのリーク電流は大きい。リーク電流が増大すると電圧保持特性が劣化し、画質の低下を伴うため、問題となる。【解決手段】 絶縁性基板上に形成されたチャネル領域、ソース・ドレイン領域を構成する半導体層と、絶縁層とゲート電極と前記半導体層に電気的に接触するソース・ドレイン電極とを少なくとも有する半導体素子であって、前記半導体層のチャネル領域は多結晶半導体層で形成されており、ソース・ドレイン領域は非晶質半導体層で形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成されたチャネル領域、ソース・ドレイン領域を構成する半導体層と、絶縁層とゲート電極と前記半導体層に電気的に接触するソース・ドレイン電極とを少なくとも有する半導体素子であって、前記半導体層のチャネル領域は多結晶半導体層で形成されており、ソース・ドレイン領域は非晶質半導体層で形成されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 618 Z

Fターム (29件)：

5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG35 ,  5F110GG44 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK34 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP08 ,  5F110QQ21