特許

J-GLOBAL ID：200903015547418924

ハ-ドマスクおよびプラズマ活性化エッチャントを使用した材料のエッチング方法

発明者： セオドア エス.モイス ,  グオキアング シング ,  マーク ビソケイ ,  ジャスティン エフ.ゲイナー ,  スコット アール.サマーフェルト ,  スチーブン アール.ギルバート ,  フランシス セリイ ,  ルイギ コロンボ ,  マーク エイ.クレスリイ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-256316
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133633
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 常誘電体および強誘電体キャパシタの製作方法を提供する。【解決手段】 絶縁拡散バリア上の誘電体と共にキャパシタを電極間の誘電体にコンタクトさせるビアエッチはFベース誘電体エッチおよびClおよびFベースバリアエッチによる2ステップエッチを含んでいる。

請求項（抜粋）：

ハードマスクおよびプラズマ活性化エッチャントを使用して材料をエッチングする方法であって、ハードマスクはチタンおよび/もしくはアルミニュウムの窒化物から作られ、エッチャントは塩素、酸素、および窒素を含み、エッチャントは250-400C程度の温度である、エッチング方法。