特許
J-GLOBAL ID：200903015547907216
液相エピタキシャル成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-291315
公開番号（公開出願番号）：特開平8-151293
出願日： 1994年11月25日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【目的】平滑かつ完全に成長溶液を分離することにより、より高品質なエピタキシャルウェハを製造する。【構成】成長を止めるために、エピタキシャル成長室2と下部成長溶液溜3との接続穴7、8を接続して、成長室2内を満たしていた成長溶液10を下部成長溶液溜3に抜き取る。この抜き取りによる溶液分離の際の基板4表面における溶液の移動速度を20〜40mm/secとなるように制御する。すると、溶液自由表面の移動に沿った形の段差、及び溶液残留に伴う段差に基づく品質低下の全くないエピタキシャルウェハを再現性よく得ることができる。
請求項（抜粋）：
基板を縦置きに収納した成長室内に成長溶液を満たして基板と接触させることにより基板にエピタキシャル膜を成長させ、成長室から成長溶液を抜き取って成長溶液を基板から分離することにより成長を止める縦型の液相エピタキシャル成長方法において、上記成長溶液を基板から分離する際、基板表面における溶液の移動速度を20〜40mm/secに制御することを特徴とする液相エピタキシャル成長方法。
IPC (3件)：
C30B 19/00
, C30B 29/40 501
, H01L 21/208
