特許
J-GLOBAL ID：200903015554235452
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-213772
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037283
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 消費電力が少なく且つデータ保持特性が優れているにも拘らず、動作速度も速い半導体記憶装置を提供する。【構成】 メモリセルのフリップフロップの負荷素子になっているPMOSトランジスタ14のチャネル領域14aは多結晶Si膜37のみで形成されており、電源線22は多結晶Si膜37と多結晶Si膜42との2層膜で形成されている。このため、薄膜トランジスタ14の遮断時におけるチャネルリーク電流は少なく、電源線22の電気抵抗は低い。
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタを負荷素子とするフリップフロップを用いてメモリセルが構成されている半導体記憶装置において、前記薄膜トランジスタのチャネル領域は膜厚が相対的に薄い半導体膜で形成されており、前記薄膜トランジスタのソース領域に電気的に接続されている電源線は膜厚が相対的に厚い半導体膜で形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 27/10 381
, H01L 29/78 311 C
, H01L 29/78 311 H
