パワー半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-077677
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270609
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】シリコーン樹脂の亀裂や界面剥離の発生を防止し、信頼性の高いパワー半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ベース板1上に絶縁基板2を介して接合されたパワー半導体素子3、及びパワー半導体素子と間隔を隔てて設けられた制御基板5をケース23内に収容し、前記パワー半導体素子及び制御基板をシリコーン樹脂層で封止するパワー半導体装置において、前記シリコーン樹脂層が、前記制御基板のパワー半導体素子側端面または前記制御基板と前記パワー半導体素子との間を界面28として前記パワー半導体素子側の第1のシリコーン樹脂層91と前記制御基板側の第2のシリコーン樹脂層92との2層に分かれている。また、前記制御基板は前記ベース板またはケースに弾性的に支持されている。

請求項（抜粋）：

ベース板上に絶縁基板を介して接合されたパワー半導体素子、及び該パワー半導体素子と間隔を隔てて設けられた制御基板をケース内に収容し、前記パワー半導体素子及び制御基板をシリコーン樹脂層で封止するパワー半導体装置において、前記シリコーン樹脂層が、前記制御基板のパワー半導体素子側端面または前記制御基板と前記パワー半導体素子との間を界面として前記パワー半導体素子側の第1のシリコーン樹脂層と前記制御基板側の第2のシリコーン樹脂層との2層に分かれていることを特徴とするパワー半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 23/28 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 23/30 B , H01L 23/28 K , H01L 25/04 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-084039
特開昭62-016554

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