特許
J-GLOBAL ID：200903015556272495
半導体検査方法および半導体検査装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-145341
公開番号（公開出願番号）：特開平8-313460
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体基板の表面又は薄膜下に存在するパーティクルの組成および構造を決定することによりパーティクルの発生源を特定できる分析方法および装置を提供する。【構成】 半導体試料2が設置されるX-Yステージ3と、半導体試料2の鉛直方向に設置された連続可視光レーザビーム1と、レーザ散乱光を検出するための検出器4とを用いて半導体試料2上のパーティクルを見つけだし、半導体試料2表面上で連続可視光レーザビーム1と同一の原点を持つように光軸が調整された集束イオンビーム7、高輝度紫外線レーザビーム9及び電子ビーム5と、飛行時間型質量分析計及び蛍光X線分析器を有する分析器8とを用いてパーティクルの組成および構造を決定する。
請求項（抜粋）：
X-Yステージ上に設置した半導体試料に、前記半導体試料の鉛直方向から連続可視光ビームを照射し、前記X-Yステージを駆動させながらレーザ散乱光を検出することによりパーティクル位置を判断し、前記パーティクルの組成を電子ビームを前記パーティクルに照射して励起される蛍光X線を検出することにより分析することを特徴とする半導体検査方法。
IPC (2件)：
G01N 23/223
, G01N 23/225
G01N 23/223
, G01N 23/225
