特許
J-GLOBAL ID：200903015556385460
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-251718
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090284
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高い直流電流増幅率と、高い高速動作特性が得られる、横型バイポーラトランジスタ構造を提供する。【構成】 高濃度のn型エミッタ層と高濃度のp型外部ベース層を、絶縁膜等を介して分離した構造とし、エミッタ、コレクタ接合の少なくとも一方をヘテロ接合として、内部ベース層の中央部を外部ベース層に近い周辺部に比べて、バンドギャップの小さい組成とした。【効果】 エミッタ層の周辺部から高濃度ベース領域に注入される電子数を低減し、ヘテロベース層中の電界によってコレクタ層へ到達する電子数を増加させる。ベース層中央部でのバンドギャップが、真性ベース周辺よりも狭い構造とすることによって、ベース層中央部での不純物濃度を高くし、ベース抵抗を低減できる同時に、高コレクタ電流領域まで電流集中効果の発生を抑制する。
請求項（抜粋）：
半導体基板中に埋設された絶縁膜上の単結晶半導体層中に、第1導電型のエミッタ層、第2導電型のベース層および第1導電型のコレクタ層を、半導体基板表面と平行な方向に配置して、上記第1導電型のコレクタ層と対向する面を除いた、第1導電型のエミッタ層が、全て絶縁膜で覆われるような構造とし、かつ、上記第2導電型のベース層を、第1導電型のエミッタ層およびコレクタ層よりもバンドギャップが狭い半導体材料を用いて形成し、上記第2導電型のベース層中央部のバンドギャップが外周部でのそれより狭くなるような構造としたことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/267
, H01L 27/12
