特許

J-GLOBAL ID：200903015563002550

半導体集積装置

発明者： 下地 規之
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-179362
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029483
出願日： 1991年07月19日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板一表面における配線の複雑さを回避することを図る。【構成】 半導体の表面と裏面間を通じる様に形成したスルーホールを介して、裏面にも配線を施すものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一表面上に複数個の電子素子を形成した半導体集積装置において、前記電子素子間をつなぐ配線を半導体基板の一表面と、裏面の双方に設けたことを特徴とする半導体集積装置。