特許
J-GLOBAL ID：200903015563620300
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-049004
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267843
出願日： 1993年03月10日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】上層部にフォトレジスト、下層部にポリジメチルグルタルイミドを用いた2層膜に、紫外線および遠紫外線の照射と2回の現像の組合せで、アンダーカットをもつマスク材を形成し、スパッタ法を用いたリフトオフ法によりパターンの形成を行う。【構成】上層部のフォトレジスト3と下層部のポリジメチルグルタルイミド2の両方を現像後、遠紫外線6の照射により、上層部のレジスト3を硬化させると同時に下層部のポリジメチルグルタルイミド2を感光させる。再び、2度目の現像によって、下層部のみを選択的にサイドエッチングし、アンダーカットをもつマスク材を作製する。このマスク材にスパッタ法により薄膜を被着し、有機溶剤を用いてリフトオフすることによりパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に2層レジスト膜を所望形状にパターン形成する工程と、薄膜を被着させる工程と、前記2層レジスト膜をリフトオフしパターンを形成する工程とからなり、前記2層レジスト膜の上層レジスト層のパターン形成後、光照射によって前記上層レジスト部を硬化させ、前記下層レジスト部のみをサイドエッチングしてパターン形成後、薄膜を被着し、リフトオフによりパターン形成を行うことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/26 511
