特許

J-GLOBAL ID：200903015569245446

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 紀川 健 ,  中原 宏治 ,  野本 悦子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日本オプネクスト株式会社
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-150037
公開番号（公開出願番号）：特開2008-211260
出願日： 2008年06月09日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：

【課題】従来の、特に活性層に高濃度にアルミニウムを含む半導体レーザでは、レーザ駆動動作に伴う端面劣化が著しく、高信頼化が困難であった。【解決手段】共振器の端面に半導体に隣接して酸素欠乏状態の酸化アルミニウム膜を形成する。【効果】本発明により、端面劣化を抑制することが出来るので、端面劣化を起こすことなく高温長時間動作を行うことが出来るようになり、低コストで高信頼性の半導体レーザを作製出来る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板面に対し水平に共振器を有する水平共振器型半導体レーザにおいて、 半導体基板と、 前記半導体の内部に形成された活性層と、 前記半導体の端部に形成された共振器ミラーと、 前記共振器ミラーとなる半導体端面に接して形成された第1の絶縁膜および前記第1の絶縁膜上に積層された絶縁膜とからなる反射膜とを有し、 前記第1の絶縁膜が酸素欠乏状態の酸化アルミニウムからなり、前記酸化アルミニウムの組成がAl2O3-x(0.03≦x≦0.3)であり、 前記反射膜は、前記反射膜を構成する各層の膜厚と内部応力の積の総和で定義される総応力が150Pa・m以下であることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 5/12 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/343

FI (3件)：

H01S5/12 ,  H01S5/227 ,  H01S5/343

Fターム (4件)：

5F173AA05 ,  5F173AB01 ,  5F173AH08 ,  5F173AR68

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許第5063173号
  
• 半導体レーザの製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-273737   出願人：ローム株式会社
• レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-015938   出願人：富士写真フイルム株式会社