特許
J-GLOBAL ID:200903015571153818

超電導体およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長門 侃二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-225521
公開番号(公開出願番号):特開平7-081934
出願日: 1993年09月10日
公開日(公表日): 1995年03月28日
要約:
【要約】【目的】 超電導特性が優れ、再現性よく製造することができる、電子系の銅複合酸化物超電導体とその製造方法を提供する。【構成】 この超電導体は、次式:(Ca1-αSrα)β(Cu1-γMγ)(O1-δFδ)2-ε(式中、MはGaまたは/およびAlを表し、α,β,γ,δ,εは、それぞれ、0≦α≦1,0.9≦β≦1.1,0≦γ≦0.20,0≦δ≦0.25,0≦ε≦0.04を満足する数を表す。ただし、γ,δが同時に0になることはない)で示され、積み上げ法を用いて、(Ca1-αSrα)βの原子層と、(Cu1-γMγ)(O1-δFδ)2-εとの原子層を層状に積み上げて製造される。
請求項(抜粋):
次式:(Ca1-αSrα)β(Cu1-γMγ)(O1-δFδ)2-ε(式中、MはGaまたは/およびAlを表し、α,β,γ,δ,εは、それぞれ、0≦α≦1,0.9≦β≦1.1,0≦γ≦0.20,0≦δ≦0.25,0≦ε≦0.04を満足する数を表す。ただし、γ,δが同時に0になることはない)で示されることを特徴とする超電導体。
IPC (10件):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 15/00 ZAA ,  C04B 35/45 ZAA ,  C23C 14/08 ZAA ,  C30B 25/06 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

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