特許
J-GLOBAL ID：200903015572532499
MIS型半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-215825
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066296
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【構成】Nチャネル型MOSFETとPチャネル型MOSFETとを一体的に基板に形成した相補型MOSFETにおいて、Pチャネル型MOSFETのゲート電極に隣接して形成される絶縁物からなる側体の幅をNチャネル型MOSFETのゲート電極に隣接して形成される絶縁物からなる側体の幅を薄くしたMIS型半導体装置とその製造方法。【効果】本発明によれば、NMOSの電流駆動力を犠牲にすることなく、PMOSの短チャネル効果を避けられる。また、方法では、光リソグラフィー工程を増すことなく、最適化された相補型MOSFETを製造できる。
請求項（抜粋）：
Nチャネル型MOSFETとPチャネル型MOSFETからなる相補型MOSFETについて、ゲート電極に隣接して形成される絶縁物からなる側体が、Pチャネル型MOSFETと比較して、Nチャネル型MOSFETにおいて相対的に薄く形成されることを特徴とするMIS型半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
