特許
J-GLOBAL ID：200903015575620577
ダイオードを内蔵した絶縁ゲートバイポーラトランジスタとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-339880
公開番号（公開出願番号）：特開平9-191110
出願日： 1996年12月19日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：
【要約】【課題】 ダイオードを内蔵した絶縁ゲートバイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 第1導電型のカソード100と第2導電型のコレクタ102とが選択的に形成された第1半導体層と、その第1半導体層上に形成された第1導電型の第2半導体層104と、その第2半導体層104内でカソード100と対向する位置に形成されたアノード106とコレクタ102と対向する位置に形成された第2導電型のベース108と、そのベース108内に形成されたエミッタ110とを有し、ダイオードを内蔵することで絶縁ゲートバイポーラトランジスタを組み立てた時の大きさを小さくすることができ、浮遊インダクタンスによるノイズの発生も防止できる。
請求項（抜粋）：
第1導電型のカソードと第2導電型のコレクタが選択的に形成された第1半導体層と、前記第1半導体層上に形成された第1導電型の第2半導体層と、前記第2半導体層内で前記カソードと対向する位置に形成されたアノードと、前記第2半導体層内で前記コレクタと対向する位置に形成された第2導電型のベースと、前記ベース内に形成されたエミッタと、を有することを特徴とするダイオードを内蔵した絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 29/78 655 D
, H01L 29/78 652 C
, H01L 29/78 657 A
, H01L 29/91 C
