特許
J-GLOBAL ID：200903015577101429
半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-188942
公開番号（公開出願番号）：特開平5-037084
出願日： 1991年07月29日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 高効率で、かつ高速動作可能な半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【構成】 ストライプ状の活性層を複数のクラッド層で挾んで形成される活性領域と、活性領域を保持しp側電極に接続されるp型半導体基板と、前記活性領域の両側面を埋め込むように前記p型半導体基板上に積層されるp型半導体埋込層と、前記p型半導体埋込層上に積層され、前記p型半導体埋込層から拡散されてくる正孔に対し高い障壁となるn型半導体層と、前記n型半導体層上に積層され、n側電極から拡散されてくる電子を捕獲する深い準位を有する高抵抗半導体層とを備える。
請求項（抜粋）：
ストライプ状の活性層を複数のクラッド層で挾んで形成される活性領域と、前記活性領域を保持しp側電極に接続されるp型半導体基板と、前記活性領域の両側面を埋め込むように前記p型半導体基板上に積層されるp型半導体埋め込み層と、前記p型半導体埋込層上に積層され、前記p型半導体埋込層から拡散されてくる正孔に対し高い障壁となるn型半導体層と、前記n型半導体層上に積層され、n側電極から拡散されてくる電子を捕獲する深い準位を有する高抵抗半導体層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 21/368
, H01L 29/74
