特許
J-GLOBAL ID：200903015577811280
マスクROM
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-054627
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259410
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【構成】本発明は、フラットセル構造のマスクROMの拡散層ビット線を溝の側壁部及び底部に形成する。【効果】本発明によれば、ビット線とワード線との寄生容量が低下し、高速なマスクROMを提供できる。
請求項（抜粋）：
表面に第一導電型の半導体層を有し前記半導体層に複数の溝を有する基板と、前記溝の底部と側壁部とに形成された第二導電型の拡散層と、前記溝を充填する絶縁体層と、前記半導体層表面に形成された絶縁膜と、前記絶縁体層上と前記絶縁膜上とに形成された導電体層とを具備することを特徴とするマスクROM。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/10 433
, G11C 17/00 304 B
