特許

J-GLOBAL ID：200903015596569377

半導体リレー

発明者： 葛原 一功 ,  井上 智広 ,  田中 恭史
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-329165
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163392
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 小型化及び薄型化するとともに、実装歩留りを向上させることのできる半導体リレーを提供する。【解決手段】 所定形状にパターニングされた配線パターンが形成されて成る平板状の回路基板1の一方の面に、LED2及び光起電力素子3がAgペースト等によりダイボンディングされ、Auワイヤ4等により配線パターンと電気的に接続されるようにワイヤボンディングされている。そして、LED2及び光起電力素子3は光を透過する透光性樹脂5により覆われ、透光性樹脂5はさらに光を透過しない遮光性樹脂6により覆われている。また、回路基板1の光起電力素子3実装面側に、MOSFET7a,7bがバンプ8を介してフリップチップ実装され、MOSFET7a,7bが遮光性樹脂6により封止されている。

請求項（抜粋）：

配線パターンが形成された1枚の基板の同一面上に発光素子及び光起電力素子が実装され、前記発光素子及び光起電力素子が透光性樹脂により覆われ、該透光性樹脂が遮光性樹脂により覆われ、MOSFETが前記基板にフリップチップ実装され、前記発光素子からの光が前記透光性樹脂と前記遮光性樹脂との界面で反射して、前記光起電力素子に受光されるようにしたことを特徴とする半導体リレー。

IPC (2件)：

H01L 31/12 ,  H03K 17/78

FI (2件)：

H01L 31/12 C ,  H03K 17/78 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-356974
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-150466   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-067127   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭64-071186