特許
J-GLOBAL ID：200903015600860219
化合物半導体基板及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227836
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097140
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【構成】 GaAs層12、14と同一の構成元素から成り、Ga原子に比べてAs原子を0.2%以上1.5%以下の範囲で過剰に含むGaAs層13を1層含んでいる化合物半導体基板10。【効果】 GaAs層13中にAs原子の一部を析出させることができ、この析出したAs粒子により、Si基板11とGaAs層12との界面に生じた転位をピンニングさせることができるため、転位の伝播をブロックすることができ、GaAs層14表面近傍における転位密度を低減することができる。またGaAs層13には構成元素以外の原子を含んでいないため、GaAs層14のバンド構造に及ぼす影響も少なく、キャリア濃度の変化も少ない、電気的特性に優れた高品質の化合物半導体基板10を得ることができる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に III-V族化合物半導体層がエピタキシャル成長させられた化合物半導体基板において、前記 III-V族化合物半導体層と同一の構成元素から成り、 III族原子に比べてV族原子を0.2%以上1.5%以下の範囲で過剰に含む III-V族化合物半導体層を少なくとも1層以上含んでいることを特徴とする化合物半導体基板。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/203
, H01L 21/324
