特許

J-GLOBAL ID：200903015603786982

半導体装置の製造方法

発明者： 窪田 勉 ,  佐藤 暢章 ,  半田 治
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-234718
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064898
出願日： 1996年08月16日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 酸化膜の膜厚を少ない工程数で容易かつ選択的に増大させ、しかも酸化膜を均一に形成することのできる、半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板1の表面上にゲート酸化膜を形成するに際して、前記酸化膜に隣接したポリシリコン層20又は前記表面下にフッ素21をイオン注入し、加熱処理によってゲート酸化膜23を成長させて膜厚を増大させるようにした、バッファ回路部を有するダイナミックRAM等の半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基体の表面上に酸化膜を形成するに際して、前記酸化膜に隣接した層又は前記半導体基体の表面下にハロゲンを含有させ、加熱処理によって酸化膜を成長させるようにした、半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 27/10 681 F ,  H01L 29/78 301 G