特許
J-GLOBAL ID：200903015607516238
X線マスク構造体、該X線マスク構造体を用いたX線露光方法、前記X線マスク構造体を用いたX線露光装置、前記X線マスク構造体を用いた半導体デバイスの製造方法、および該製造方法によって製造された半導体デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-173394
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012428
出願日： 1998年06月19日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 防塵用の薄膜が設けられたX線マスク構造体の位置を検出するためにX線マスク構造体にアライメント光を照射した際に、X線マスク構造体の位置ずれを精度よく検出することができ、X線マスク構造体を高精度に位置決めすることができるX線マスク構造体を実現する。【解決手段】 X線マスク構造体では、保持枠1に、露光装置に装着された際にウェハと対向配置される支持膜2が支持されている。支持膜2には、露光パターンに対応してX線吸収体3が設けられている。保持枠1は接着剤5により補強体4に固定されている。補強体4の上面には、支持膜2へのゴミの付着を防止する薄膜6が粘着材7により貼り付けられている。薄膜6は、X線マスク構造体の位置決めを行う際に薄膜6に照射されるアライメント光に対しての反射を防止するように材料および膜厚が設定されている。
請求項（抜粋）：
X線露光の際に被転写体に対向配置され、X線吸収体が前記被転写体への露光パターンに対応して設けられたX線透過膜と、該X線透過膜の近傍の空間を覆う薄膜とを有するX線マスク構造体において、前記薄膜が、前記X線マスク構造体の前記被転写体との相対的な位置ずれを検出するために前記薄膜に照射されるアライメント光に対して反射を防止する機能を有することを特徴とするX線マスク構造体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 531 M
, G03F 1/16 A
2H095BA10
, 2H095BB30
, 2H095BB35
, 2H095BC13
, 2H095BC14
, 2H095BC32
, 2H095BC39
, 2H095BE03
, 5F046GA18
, 5F046GD01
, 5F046GD02
, 5F046GD07
