特許

J-GLOBAL ID：200903015609670757

現像方法

発明者： 岸 由美子
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-268836
公開番号（公開出願番号）：特開2002-072641
出願日： 2000年09月05日
公開日（公表日）： 2002年03月12日
要約：

【要約】【課題】この発明は、地汚れが生じるという課題を解決しようとするものである。【解決手段】 この発明は、現像剤担持体40a上の現像剤を静電潜像担持体10の方向に動かす時の最大電位をVmax、静電潜像の非画像部電位をVD、このVDとVmaxとの差をΔVD、静電潜像担持体10と現像剤担持体40aとの最短距離をd[m]、現像剤1個当たりの電荷の平均値をQm[C]、現像バイアスによる交番電界により現像剤担持体40a上の現像剤を静電潜像担持体10の方向に動かす力が働いている時間をt1、交番電界により現像剤担持体40a上の現像剤を静電潜像担持体10の方向に動かす方向とは逆の方向の力が働いている時間をt2とし、現像バイアスのdutyをt1/(t1+t2)としたときに、交番電界の周波数をf[Hz]とすると、【数18】であり、現像剤のCV値がCV≦220である。

請求項（抜粋）：

静電潜像を担持する静電潜像担持体と、一成分系の現像剤を担持する現像剤担持体とを対向させ、この現像剤担持体にバイアス印加手段により現像バイアスを印加した状態で前記静電潜像担持体上の静電潜像を前記現像剤担持体上の現像剤で現像する現像方法において、前記現像バイアスによる電界が交番電界であり、前記現像剤担持体上の現像剤を前記静電潜像担持体の方向に動かす時の最大電位をVmax、前記静電潜像の非画像部電位をVD、このVDと前記Vmaxとの差をΔVD、前記静電潜像担持体と前記現像剤担持体との最短距離をd[m]、前記現像剤1個当たりの電荷の平均値をQm[C]、前記交番電界により前記現像剤担持体上の現像剤を前記静電潜像担持体の方向に動かす力が働いている時間をt1、前記交番電界により前記現像剤担持体上の現像剤を前記静電潜像担持体の方向に動かす方向とは逆の方向の力が働いている時間をt2とし、前記現像バイアスのdutyをt1/(t1+t2)としたときに、前記交番電界の周波数をf[Hz]とすると、【数1】であり、前記現像剤のCV値がCV≦220であることを特徴とする現像方法。

IPC (5件)：

G03G 15/06 101 ,  G03G 9/08 ,  G03G 9/087 ,  G03G 15/08 502 ,  G03G 15/08 506

FI (5件)：

G03G 15/06 101 ,  G03G 9/08 ,  G03G 15/08 502 Z ,  G03G 15/08 506 A ,  G03G 9/08 384

Fターム (20件)：

2H005AB06 ,  2H005EA01 ,  2H005FA07 ,  2H073AA03 ,  2H073BA03 ,  2H073BA07 ,  2H073BA13 ,  2H073BA23 ,  2H073BA25 ,  2H073BA43 ,  2H073BA45 ,  2H073CA02 ,  2H077AD06 ,  2H077AD36 ,  2H077AD37 ,  2H077BA07 ,  2H077DB08 ,  2H077DB14 ,  2H077EA14 ,  2H077EA16