特許
J-GLOBAL ID：200903015610310012
張り合わせ基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-285773
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129309
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】ゲッタリング技術の適用可能な張り合わせ基板の構造を実現する。【構成】SOI層1は、埋め込みシリコン酸化膜2に部分的に設けられた貫通孔3を通して基体シリコン単結晶基板4とシリコン単結晶で接続され、この基体シリコン単結晶基板4の裏面には結晶欠陥もしくは結晶歪5が導入されている。【効果】SOI層に取り込まれる汚染不純物は、容易に基体基板裏面の結晶欠陥もしくは結晶歪まで拡散して、捕獲、固着されるためSOI層に形成される素子の特性及び歩留りが改善される。
請求項（抜粋）：
熱処理により、シリコン酸化膜の形成された被接着シリコン単結晶基板と、シリコン酸化膜の形成されていない基体シリコン単結晶基板を一体に張り合わせ、前記シリコン酸化膜を埋め込みシリコン酸化膜とし、前記被接着シリコン単結晶基板を研磨して前記埋め込みシリコン酸化膜上に素子形成領域となるシリコン単結晶層が形成された構造となっている張り合わせ基板において、前記埋め込みシリコン酸化膜が部分的に形成されない領域が存在し、且つ、該埋め込みシリコン酸化膜上のシリコン単結晶層が基体シリコン単結晶基板とシリコン単結晶を介して接続し、さらに、基体シリコン単結晶基板バルクもしくは裏面に結晶欠陥もしくは結晶歪によるゲッタリング手段が付与された構造となっている事を特徴とする張り合わせ基板。
IPC (3件)：
H01L 21/322
, H01L 21/02
, H01L 21/76
