特許

J-GLOBAL ID：200903015620671951

皮膜中の応力を制御する方法

発明者： ドナルド・ウォルター・ブルイレット ,  ティモシー・チャールズ・クリワンチク ,  ジェローム・ブレット・ラスキ ,  リック・ローレンス・モーラー ,  ヴォルフガング・オットー・ラウシャー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-125850
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061447
出願日： 1993年05月27日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、シリコン基板中の高アスベクト比のトレンチを充填するのに使用される材料中の応力の状態および大きさを制御する方法を提供することにある。【構成】 基板22の表面上に結晶材料の層24を付着させた後、結晶材料の層の上に非晶質材料の層26を付着させる。次に、これらの層を加熱して、非晶質材料26を結晶化させる。この結晶化により、非晶質層26中の応力が減少し、さらには状態が変化することさえあり、このために層が基板の隣接領域に及ぼす力が減少する。この方法は、トレンチ型DRAMに使用されるタイプの深トレンチ・キャパシタを充填するのに使用することができる。

請求項（抜粋）：

基板の表面に付着させた皮膜中の応力を、所定の大きさおよび状態にする方法において、a)所定の厚みの結晶材料の第1の層と、所定の厚みの結晶化可能な非晶質材料の第2の層とを含む複合皮膜を基板の表面に付着させる工程と、b)上記第1および第2の層を熱的にアニーリングして、上記第2の層を少なくとも部分的に結晶させる工程とを含む方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04