特許

J-GLOBAL ID：200903015625244512

炭素質皮膜の形成方法及び磁気ディスクの製造方法

発明者： 小角 雄一 ,  藤巻 成彦 ,  大野 俊典
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-110298
公開番号（公開出願番号）：特開2003-301257
出願日： 2002年04月12日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：

【要約】【課題】磁気ディスクの記録密度と耐摺動信頼性を向上させた炭素質薄膜を提供すること。【解決手段】炭素からなるカソード6に炭素以外の元素のイオン処理を施し、この陰極の表面にアーク放電を発生させ、生じるイオン種を基板5に誘導し、基板表面に炭素と炭素以外の元素の化合した薄膜を形成するようにした磁気ディスクの製造方法。

請求項（抜粋）：

炭素からなる陰極に炭素以外の元素のイオン処理を施し、該陰極の表面にアーク放電を発生させ、生じるイオン種を基板に誘導し、該基板表面に炭素と炭素以外の元素の化合した薄膜を形成することを特徴とする炭素質皮膜形成方法。

IPC (5件)：

C23C 14/24 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 14/06 ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/84

FI (5件)：

C23C 14/24 F ,  C01B 31/02 101 Z ,  C23C 14/06 F ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/84 B

Fターム (21件)：

4G146AA01 ,  4G146AA15 ,  4G146AB07 ,  4G146AC15A ,  4G146AD02 ,  4G146AD28 ,  4G146BA42 ,  4G146DA17 ,  4K029AA09 ,  4K029BA34 ,  4K029BC02 ,  4K029BD11 ,  4K029CA03 ,  4K029DD06 ,  5D006AA02 ,  5D006AA04 ,  5D006AA05 ,  5D112AA07 ,  5D112BC05 ,  5D112FB04 ,  5D112FB11