特許

J-GLOBAL ID：200903015629989091

超微粒子膜形成方法及び形成装置

発明者： 石倉 淳理
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-176694
公開番号（公開出願番号）：特開2001-355061
出願日： 2000年06月13日
公開日（公表日）： 2001年12月25日
要約：

【要約】【課題】 材料の蒸発レートを稼ぎ、成膜スピードを向上させる。【解決手段】 アーク放電を用いるガスデポジション法によって生成する超微粒子から成膜するものであり、超微粒子を生成する材料18の形状を棒状とし、該材料18の先端部とアーク電極との間で放電させ、該材料18をハースとしてのルツボ11上に配置し、該ルツボ11は回転及び上昇の少なくともいずれかを行うことが可能である。

請求項（抜粋）：

アーク放電を用いるガスデポジション法によって生成する超微粒子から成膜する超微粒子膜形成方法において、前記超微粒子を生成する材料の形状を線状及び棒状のいずれかとし、前記材料の先端部と前記アーク電極との間で放電させることを特徴とする超微粒子膜形成方法。

FI (2件)：

C23C 14/24 F ,  C23C 14/24 D

Fターム (7件)：

4K029BA03 ,  4K029CA01 ,  4K029DB08 ,  4K029DB09 ,  4K029DB11 ,  4K029DB15 ,  4K029DB17