特許
J-GLOBAL ID：200903015631023889
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-040142
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223531
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 結晶性珪素膜中から結晶化を助長する触媒元素のみを選択的に除去するための技術を提供する。【解決手段】 結晶化を助長する触媒元素を添加した非晶質珪素膜103に加熱処理を施し結晶性珪素膜105を得る。次に、前記触媒元素と反応して有機化合物を形成するガス(代表的に一酸化炭素)を含む雰囲気中で加熱処理を行う。この時、触媒元素はガス成分と反応して揮発性の有機化合物を形成し、気相中へと離脱するため、膜内部に残存する触媒元素は選択的に除去又は低減される。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜に対して該非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を保持させる工程と、加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜に変成させる工程と、前記触媒元素と反応して有機化合物を形成するガスを含む雰囲気中で加熱処理を行い、前記結晶性珪素膜中の前記触媒元素を除去又は低減する工程と、を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 21/268 F
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 618 G
, H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 627 Z
