厚膜ガスセンサ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-203507
公開番号（公開出願番号）：特開平7-043331
出願日： 1993年08月18日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】電気抵抗の経時安定性と、初期鳴動特性に優れる厚膜ガスセンサを得る。【構成】基板1の上に第二の酸化燃焼層3B、感ガス層4、第三の酸化燃焼層3Cを順次積層する。感ガス層4はパラジウムを担持したγ-アルミナを酸化スズ等からなる金属酸化物半導体に添加する。第二の酸化燃焼層3B、第三の酸化燃焼層3Cはγ-アルミナに白金を担持して形成する。

請求項（抜粋）：

金属酸化物半導体の抵抗値の変化を利用してガスの有無を検出する厚膜ガスセンサであって、(1)基板と、(2)一対の電極と、(3)第一の酸化燃焼層と、(4)感ガス層とを包含し、基板はガスセンサの支持体であり、一対の電極は基板上に離間して直接的に被着され、感ガス層は基板と一対の電極上に選択的に積層され、第一の酸化燃焼層は感ガス層の全部を被覆して積層され、感ガス層は第一の貴金属触媒を担持した比表面積の大きな第一の金属酸化物を金属酸化物半導体に含有してなり、第一の酸化燃焼層は第二の貴金属触媒を第二の金属酸化物に担持してなることを特徴とする厚膜ガスセンサ。

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