特許

J-GLOBAL ID：200903015635464103

半導体の評価方法および評価装置

発明者： 寺島 幸一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-057125
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252338
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【目的】半導体試料中の欠陥や不純物などの深さ分布を求める。【構成】半導体試料に可視光などの電磁波を照射し、試料からの発光または散乱光、光電流などのシグナルを検出する測定において、照射する電磁波の波長を変化させることによって、この光の試料への浸入深さを変化させ、試料からのシグナルの変化分を測定する。

請求項（抜粋）：

半導体試料に電磁波を照射し、前記半導体試料からの発光または散乱光のシグナルを検出する半導体評価方法において、前記電磁波の波長を第1の波長と前記第1の波長と異なる第2の波長の間で周波数ωで振動させ、前記半導体試料からの所定波長の前記シグナルの前記周波数ωで振動する成分を、前記電磁波の波長を連続的に変えながら検出することによって、前記半導体試料中の欠陥もしくは不純物の深さ方向の分布を求めることを特徴とする半導体評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/00 ,  G01N 27/00

FI (3件)：

H01L 21/66 N ,  G01N 21/00 B ,  G01N 27/00 Z

Fターム (23件)：

2G059AA05 ,  2G059BB16 ,  2G059CC20 ,  2G059EE02 ,  2G059EE12 ,  2G059GG09 ,  2G059HH02 ,  2G059JJ05 ,  2G059JJ21 ,  2G059JJ22 ,  2G059KK01 ,  2G060AA09 ,  2G060AE01 ,  2G060AF01 ,  4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106CA18 ,  4M106CB02 ,  4M106CB19 ,  4M106DH12 ,  4M106DH31 ,  4M106DH37 ,  4M106DH45