特許
J-GLOBAL ID:200903015636226818
積層圧電素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-032172
公開番号(公開出願番号):特開平8-228030
出願日: 1995年02月21日
公開日(公表日): 1996年09月03日
要約:
【要約】【目的】少なくとも鉛酸化物を主成分に含む圧電材料から得たセラミック層を用いる積層構造の圧電素子であって、変位を発生するための圧電変位部とこれに接して配置された保護層部とを備える積層圧電素子において、焼結過程で保護層部と圧電変位部との間の生じる収縮率の差に起因する、製造中または繰り返し駆動中における割れ又は亀裂の発生を、絶縁抵抗を犠牲にすることなく防止する。【構成】保護層部の圧電セラミック中の鉛含有率を、圧電変位部の圧電セラミック中の鉛含有率に対し増加させ、焼結時の保護層部での収縮率と圧電変位部での収縮率との差をなくす。鉛含有率の増加率を、モル比で、1.0〜3.0%の範囲にすると、効果が大きい。
請求項(抜粋):
鉛酸化物を主成分の一つとする圧電性セラミック層と銀を含む内部電極層とが交互に複数積層された変位発生部と、主成分が前記変位発生部の圧電性セラミック層と同一の圧電性セラミック層から成る保護層部とが積層方向に関して直列となるように連続して配置された構造部分を有する積層圧電素子において、前記保護層部を構成する圧電性セラミック層中の鉛含有率を、前記変位発生部を構成する圧電性セラミック層中の鉛含有率より大きくしたことを特徴とする積層圧電素子。
IPC (2件):
H01L 41/083
, H01L 41/187
FI (2件):
H01L 41/08 S
, H01L 41/18 101 D
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