特許

J-GLOBAL ID：200903015645197170

光電変換半導体装置

発明者： 佐藤 恵二 ,  斉藤 豊
出願人/特許権者： 株式会社エスアイアイ・アールディセンター
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-143367
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331051
出願日： 1996年06月06日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ダイナミックレンジが広く、周波数特性にすぐれた増幅機能をもつ光電変換半導体装置。【解決手段】 N-型基板11にP-ウェル41を形成し、その中にP+型不純物領域44とその電極であるウェル電極14、ドレイン領域15、ソース領域16とその電極であるドレイン電極17、ソース電極18およびゲート絶縁膜19、ゲート電極20を形成する。P-ウェル41は、N+型不純物領域42とその電極であるN+型電極43で周囲を囲み、反対の面を裏面N+型不純物領域29とその電極である裏面N+型電極53を形成し、N-型基板11とP-ウェル42によりPN接合を形成する。

請求項（抜粋）：

NMOSトランジスタを形成した基板領域(ウェル)と前記基板領域に延びる空乏層の形成手段を同一半導体基板に有し、前記空乏層への入射光による前記基板領域の電位変化を前記NMOSトランジスタの出力とすることを特徴とする光電変換半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/10

FI (5件)：

H01L 27/14 A ,  H01L 27/15 D ,  H01L 27/14 J ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 31/10 A