特許

J-GLOBAL ID：200903015646150194

位相シフトフォトマスクブランクス製造方法、位相シフトフォトマスクブランクス、及び位相シフトフォトマスク

発明者： 悳 昭彦 ,  川田 前 ,  斉藤 芳宏 ,  山本 恒雄 ,  林 厚 ,  吉岡 信行 ,  千葉 明 ,  宮崎 順二
出願人/特許権者： アルバック成膜株式会社 ,  三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-214792
公開番号（公開出願番号）：特開平8-074031
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月19日
要約：

【要約】【目的】 紫外線露光に適し、耐薬品性の高い位相シフトフォトマスクブランクスを提供する。【構成】体積百分率で2.65%〜6%の割合で一酸化窒素ガスを添加してモリブデンシリサイドのターゲットをスパッタし、透明基板上にモリブデンシリサイド酸化窒化膜を成膜すると、このモリブデンシリサイド酸化窒化膜は、KrFエキシマレーザ波長での位相シフト膜に適し、耐薬品性に優れる。前記一酸化窒素ガスの割合が低いと、特に耐薬品性に優れるので、0.5%〜6%の範囲で添加すれば、モリブデンシリサイド酸化窒化膜を位相シフト膜の保護膜として使用できる。そして、モリブデンシリサイド酸化窒化膜を200°C以上で熱処理すれば、透過率のプロセス変動を小さくでき、露光波長における透過率を高くすることができる。

請求項（抜粋）：

体積百分率で2.65%から6%の割合で一酸化窒素ガスが添加されたスパッタガスでモリブデンシリサイドのターゲットをスパッタし、透明基板上に位相シフト膜としてモリブデンシリサイド酸化窒化膜を成膜することを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 位相シフトマスク及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-232115   出願人：ホーヤ株式会社
• 特開平4-246649
  
• 特開平4-285958