半導体装置およびその製法並びに上記半導体装置の製造に用いる半導体装置用テープキャリア

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西藤征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-283642
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335653
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【課題】導通不良の発生が防止された半導体装置を提供する。【解決手段】補助配線板片2の板面に、電極11を備えた半導体チップ1が、その電極11側の面を対面させた状態で搭載され、上記補助配線板片2の内部に引回し導体23が配設され、この引回し導体23の一端が上記補助配線板片2の上記半導体チップ1搭載側の面から突出する内側電極21に形成され、上記引回し導体23の他端が上記補助配線板片2の上記半導体チップ1搭載側と反対側の面から突出する外側電極22に形成され、上記内側電極21と半導体チップ1の電極11とが接合している半導体装置であって、少なくとも上記半導体チップ1と補助配線板片2との間隙が、熱融着性ポリイミド樹脂層3により封止されている。

請求項（抜粋）：

補助配線板片の板面に、電極を備えた半導体チップが、その電極側を対面させた状態で搭載され、上記補助配線板片の内部に引回し導体が配設され、この引回し導体の一端が上記補助配線板片の上記半導体チップ搭載側の面から突出する内側電極に形成され、上記引回し導体の他端が上記補助配線板片の上記半導体チップ搭載側と反対側の面から突出する外側電極に形成され、上記内側電極と半導体チップの電極とが接合している半導体装置であって、少なくとも上記半導体チップと補助配線板片との間隙が、熱融着性ポリイミド樹脂層により封止されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , C08G 73/10 NTF , H01L 23/12 , H01L 23/28

FI (4件)：

H01L 23/30 D , C08G 73/10 NTF , H01L 23/28 L , H01L 23/12 L

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