特許
J-GLOBAL ID：200903015647893727
金属・半導体・金属光検出器及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-231801
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218490
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 シリコン集積回路に適合し短波長の適用に適したMSM光検出器を提供する。【構成】 本発明によれば、ショットキー・バリアを形成するための、シリコンに対して中程度または高いバリア高さを有する櫛形金属電極10と、SALICIDE(自己整合ケイ化物)法に類似の方法で、選択的付着、または選択的反応とエッチングによって、自己整合メタライゼーションを使用して電極を形成する、シリコン半導体表面層を有するMSM光検出器の製法が与えられる。まず、基板2の露出したSi1の表面を透明な酸化物皮膜、たとえば二酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン等12でコーティングして、Siと酸化物の界面が低い表面再結合速度を示すようにする。次に櫛形パターンを、リソグラフィにより酸化物皮膜を通してエッチングし、フィンガ・パターンの形にSi表面を露出させる。露出したSi表面に、次に、金属または金属ケイ化物の電極を、自己整合メタライゼーションを用いて形成する。
請求項（抜粋）：
シリコンの表面半導体層を有する基板と、上記シリコン層内に自己整合メタライゼーションによって形成された、シリコンに対して中程度または高いバリア高さを有する複数の櫛形金属部材からなる、1組の電極とを備える、金属・半導体・金属光検出器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 C
, H01L 31/10 H
