特許
J-GLOBAL ID：200903015649295975
薄膜トランジスタ、その製造方法および液晶表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-093898
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288519
出願日： 1995年04月19日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【目的】 TFT特性を良好にすると共に、表示の上のブロック別れの発生、引き込み電圧のバラツキによる焼き付きや残像の発生を防ぐ。【構成】 透明基板1上にパターニングされた遮光膜2を覆って絶縁膜3が形成されている。絶縁膜3上には、低抵抗な第1の半導体層からなるソース領域5およびドレイン領域5が互いに離隔した状態で形成され、各々ソース電極4およびドレイン電極4に接続されている。ソース領域5上およびドレイン領域5上に渡って第2の半導体層6が形成され、その上にゲート絶縁膜7を間に介してゲート電極8が形成されている。第1の半導体層は成膜により形成されており、ソース領域5、ドレイン領域5およびゲート電極8は、パターニングされた遮光膜2と自己整合的に形成されている。
請求項（抜粋）：
透明基板上にパターニングされた遮光膜を覆って形成された絶縁膜の上に、低抵抗な第1の半導体層からなるソース領域およびドレイン領域が互いに離隔した状態で形成され、該ソース領域上およびドレイン領域上にわたって形成された第2の半導体層の上に間にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、該ソース領域にソース電極が電気的に接続されると共に該ドレイン領域にドレイン電極が電気的に接続され、かつ、該ソース領域、該ドレイン領域および該ゲート電極が該遮光膜と自己整合的に形成されている薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 619 B
, G02F 1/136 500
