特許

J-GLOBAL ID：200903015651644200

半導体集積回路装置

発明者： 小 林 一 洋 ,  辻 賢一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187736
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015640
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 より一層の小型化・薄型化および低価格化を実現できる半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 円錐状のバンプ9が形成された表面配線層7の上に、耐熱性熱可塑性樹脂等でなるプリプレグ5を載置して熱圧着によりバンプ9をプリプレグ5内に埋込み、バンプ9の頂部がプリプレグ9を貫通して上面に露出するように処理してB2it4基板を形成し、半導体チップ1のチップパッド3が形成された面を接合面としてフェイスダウンによりバンプ9と位置合わせを行った上でB2it基板4の上面に半導体チップ1を載置し、熱圧着によりB2it基板4と半導体チップ1とを密着させるとともに、チップパッド3とバンプ9とを接合させる。そして、表面配線層7の下面にはんだボール11を配設する。

請求項（抜粋）：

表面部に形成された外部電極を有する半導体チップと、前記半導体チップの前記外部電極の配置に応じてバンプ電極が一面に配設された配線層と、前記配線層に重置され熱圧着により前記バンプ電極が貫通した絶縁材料とを有する基板と、を備え、前記半導体チップは、前記外部電極の形成面を接合面として前記外部電極と前記バンプ電極とが接続するように位置合わせされて前記基板上に載置され、圧着により前記半導体チップと前記基板とが直接接合された半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H05K 1/11 ,  H05K 1/18

FI (4件)：

H01L 23/12 N ,  H01L 21/60 311 S ,  H05K 1/11 N ,  H05K 1/18 L

Fターム (16件)：

5E317AA04 ,  5E317BB01 ,  5E317BB11 ,  5E317CC60 ,  5E317GG14 ,  5E317GG17 ,  5E336AA04 ,  5E336BB01 ,  5E336CC34 ,  5E336CC58 ,  5E336EE05 ,  5E336GG30 ,  5F044KK07 ,  5F044KK19 ,  5F044LL00 ,  5F044RR18