特許

J-GLOBAL ID：200903015653173906

窒化物半導体発光素子とそれを含む光学装置

発明者： 森重 香一 ,  津田 有三
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-273195
公開番号（公開出願番号）：特開2002-084041
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】 発光効率の高い窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 窒化物半導体発光素子は、複数の量子井戸層と複数の障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する発光層106を含み、その量子井戸層はGaN1-x-y-zAsxPySbz(0≦x≦0.10、0≦y≦0.16、0≦z≦0.04、x+y+z>0)からなっていて、付加的に少なくともAlを含有し、障壁層は窒化物半導体からなることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

複数の量子井戸層と複数の障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する発光層を含み、前記量子井戸層はGaN1-x-y-zAsxPySbz(0≦x≦0.10、0≦y≦0.16、0≦z≦0.04、x+y+z>0)からなっていて、付加的に少なくともAlを含有し、前記障壁層は窒化物半導体からなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/343 ,  G11B 7/125 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 5/343 ,  G11B 7/125 A ,  H01L 33/00 C

Fターム (23件)：

5D119AA43 ,  5D119BA01 ,  5D119FA05 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA54 ,  5F041CA56 ,  5F041CA88 ,  5F041EE24 ,  5F041FF13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35