特許
J-GLOBAL ID：200903015653276306
炭化珪素単結晶
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲吉▼川 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-134822
公開番号（公開出願番号）：特開2002-326897
出願日： 2001年05月02日
公開日（公表日）： 2002年11月12日
要約：
【要約】【課題】 マイクロパイプ等の貫通孔の無い炭化珪素単結晶を得る。【解決手段】 炭化珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させてなる炭化珪素単結晶において、珪素含有液状化合物と炭素含有液状化合物とナトリウム化合物とを均一に混合させて乾燥、粉砕、及び炭化処理が施された原料粉を、略大気圧の不活性ガス雰囲気中に加熱状態で保持された炭化珪素種結晶表面に向けて供給し、前記原料粉中の二酸化珪素が炭化珪素種結晶表面において軟化されて流動する液状二酸化珪素を該炭化珪素種結晶表面に密着させ、炭化珪素種結晶表面において前記液状二酸化珪素を炭素によって還元することにより、炭化珪素単結晶を炭化珪素種結晶表面に成長させてなる炭化珪素単結晶。
請求項（抜粋）：
炭化珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させてなる炭化珪素単結晶であって、二酸化珪素含有化合物と炭素含有化合物とナトリウム化合物とを含有する原料粉を、略大気圧の不活性ガス雰囲気中に加熱状態で保持された炭化珪素種結晶表面に供給し、所定時間保持し、前記原料粉中の二酸化珪素が炭化珪素種結晶表面において軟化されて流動する液状二酸化珪素を該炭化珪素種結晶表面に密着させ、炭化珪素種結晶表面において前記液状二酸化珪素を炭素によって還元することにより、炭化珪素単結晶を炭化珪素種結晶表面に成長させてなる炭化珪素単結晶。
Fターム (8件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077CG01
, 4G077EA02
, 4G077EC02
, 4G077QA01
, 4G077QA26
, 4G077QA38
