特許

J-GLOBAL ID：200903015653542618

SOI基板の製造方法

発明者： 石神 俊一郎 ,  森田 悦郎
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-229155
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074919
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】SOI層内の酸素析出物を低減できる。【解決手段】第1シリコンウェーハ11の一方の面が研磨され、他方の面に多結晶シリコン層13が堆積され、更に第1シリコンウェーハ11の両表面に絶縁層14が形成される。第1シリコンウェーハ11がこのウェーハ11の一方の面の絶縁層14を接合面として支持基板となる第2シリコンウェーハ12と接合され、この接合した第1及び第2シリコンウェーハ11,12が熱処理して貼り合わせられる。第1シリコンウェーハ11を所定の厚さに研削研磨することにより、絶縁層14に多結晶シリコン層13を介してSOI層11aが形成される。

請求項（抜粋）：

第1シリコンウェーハ(11)の一方の面を研磨し他方の面に多結晶シリコン層(13)を堆積する工程と、前記第1シリコンウェーハ(11)の両表面に絶縁層(14)を形成する工程と、前記第1シリコンウェーハ(11)をこのウェーハ(11)の一方の面に形成された前記絶縁層(14)を接合面として支持基板となる第2シリコンウェーハ(12)と接合する工程と、前記接合した第1及び第2シリコンウェーハ(11,12)を熱処理して貼り合わせる工程と、前記第1シリコンウェーハ(11)を所定の厚さに研削研磨してデバイス形成用のSOI層(11a)とする工程とを含むSOI基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 D